在半导体制造过程中会大量使用到危险气体和化学品，例如广泛应用于 N 型掺杂和化学气相沉积（CVD）等工艺的砷烷（AsH3），是一种无色、易燃且剧毒的气体，仅需 6.25~15.5 ppm 即可在半小时至一小时内使人致命，因此需要在置换气瓶前对气体管路进行彻底吹扫以确保人员安全。

随着半导体技术从成熟制程向先进制程演进，制造环节对高纯度管道系统的要求也日益严苛，其中泄漏率是一项关键管控参数。为最大程度降低泄漏风险，除需选择正确的密封方式并规范安装阀门、接头等管道元件外，适当减少管道连接件的数量也是一种非常有效的方法。